7月26日消息，近日，致真存儲(chǔ)(北京)科技有限公司宣布完成數(shù)千萬(wàn)元Pre-A輪融資，投資方包括俱成資本、中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)投資基金、京鵬投資等。

融資資金將主要用于加強(qiáng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)建設(shè)和設(shè)備采購(gòu)，提升產(chǎn)品研發(fā)能力，加速磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MagneticRandom-Access Memory，MRAM）芯片的研發(fā)和生產(chǎn)線建設(shè)落地。

致真存儲(chǔ)（北京）科技有限公司是一家以磁存儲(chǔ)技術(shù)為基礎(chǔ)的創(chuàng)新性科技企業(yè)，掌握芯片設(shè)計(jì)、研發(fā)及生產(chǎn)制造等關(guān)鍵核心技術(shù)。基于產(chǎn)學(xué)研全鏈條合作模式，依托國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈，發(fā)揮產(chǎn)業(yè)協(xié)同優(yōu)勢(shì)，形成了面向MRAM芯片產(chǎn)品的全國(guó)產(chǎn)化生產(chǎn)制造流程。公司的核心產(chǎn)品將應(yīng)用于高可靠電子裝置、工業(yè)芯片、汽車電子、消費(fèi)領(lǐng)域及人工智能等多個(gè)行業(yè)。

技術(shù)層面，團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種自旋軌道矩-自旋轉(zhuǎn)移矩協(xié)同翻轉(zhuǎn)磁矩的MRAM數(shù)據(jù)寫入方法，構(gòu)建了高密度MRAM產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，并獲得了中美授權(quán)的門檻性專利，自主研發(fā)的高隧穿磁阻效應(yīng)垂直隧道結(jié)，其核心指標(biāo)高于IBM、IMEC等國(guó)際機(jī)構(gòu)。

其自研的新一代MRAM芯片可采用一種NAND-SPIN結(jié)構(gòu)，大幅提升容量的同時(shí)兼具速度快、壽命長(zhǎng)、功耗低等性能優(yōu)勢(shì)，該結(jié)構(gòu)可很好地與CMOS工藝兼容，降低制造難度及制造成本。

截至目前，公司已獲得中科創(chuàng)星、普華資本、中電海康等多方戰(zhàn)略投資，并通過引入產(chǎn)業(yè)投資方，實(shí)現(xiàn)磁存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈的資源整合。致真存儲(chǔ)已簽約青島市西海岸新區(qū)，在地方政府的大力支持下籌劃建設(shè)8英寸和12英寸的新一代存儲(chǔ)芯片專用后道加工生產(chǎn)線，項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2025年上半年建成，屆時(shí)致真存儲(chǔ)將具備磁存儲(chǔ)芯片的獨(dú)立制造能力，一期建設(shè)規(guī)劃年產(chǎn)能可達(dá)2萬(wàn)片。

在談及未來(lái)發(fā)展規(guī)劃時(shí)，致真存儲(chǔ)CEO王戈飛表示：致真存儲(chǔ)研發(fā)的新一代磁存儲(chǔ)芯片，具備高速讀寫、低功耗、耐擦寫、高可靠、寬溫區(qū)等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，是下一代非易失存儲(chǔ)芯片的理想選擇，未來(lái)該芯片將在各個(gè)行業(yè)大有可為。我們將利用現(xiàn)有的8英寸研發(fā)平臺(tái)及12英寸產(chǎn)業(yè)資源加快研發(fā)，同時(shí)推動(dòng)MRAM量產(chǎn)線建設(shè)，加速推進(jìn)國(guó)產(chǎn)磁存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)化進(jìn)程，力爭(zhēng)成為國(guó)內(nèi)磁存儲(chǔ)行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。